실리콘에서 다양한 레이저 파장의 투과 깊이
마이크로파 검출 광전도도는 시료에 빛을 조사한 후의 광전도도를 측정합니다. 일반적으로 전자와 정공이 생성되도록 빛의 에너지는 밴드갭보다 높아야 합니다. 실리콘의 경우, 이는 1100 nm보다 짧은 파장의 빛을 사용해야 함을 의미합니다. 표면이나 얇은 에피택셜 층을 조사해야 하는 경우, 실리콘 내 침투 깊이가 훨씬 짧은 자외선(UV)이나 청색광을 사용하는 것이 유용할 수 있습니다. 그림 1은 실리콘 내 침투 깊이와 파장의 관계를 보여주며, 사용자가 자신의 응용 분야에 가장 적합한 파장을 선택하는 데 참고가 됩니다.
Fig. 1: penetration depth in silicon versus wavelength
