다른 기법들과 달리 MD-PICTS(마이크로파 검출 광유도 전류 과도 분광법)는 SI GaAs 시료의 얇은 표면 영역(3 µm)에서조차 신호를 감지할 수 있으므로, 표면 처리의 영향 등을 분석할 수 있습니다. 그림 1은 수용체 농도가 다른 시료에서 잘 알려진 EL2 결함의 피크를 보여줍니다.
Fig. 1: Detection of the EL2 defect in SI GaAs samples with different acceptor concentrations by MD-PICTS, peak height and sign correlate to the acceptor concentration
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