이 경우, 이식 부위의 불균일성을 감지하는 데 있어 수명이 아니라 광전도도나 신호 높이가 가장 민감한 매개변수입니다. 이는 저항률과 수명 자체에 크게 좌우됩니다.
MDPmap 및 MDPingot 장비에서는 서로 다른 파장을 가진 최대 4개의 레이저를 통합할 수 있습니다. 또한, 캐리어 확산이 일어나지 않는 100ns의 매우 짧은 펄스부터 캐리어가 시료 깊숙이 확산되는 수 ms의 펄스 길이에 이르기까지 다양한 펄스 길이로 측정할 수 있습니다. 따라서 레이저 파장과 펄스 길이를 변화시킴으로써 다양한 침투 깊이로 측정할 수 있습니다.
이 경우 펄스 길이 100 ns의 660 nm 레이저가 선택되어 약 4 µs의 침투 깊이가 달성되었습니다. 그림 1은 측정된 Cz-Si 시료에 주입된 P 도즈를 보여주고, 그림 2는 광전도도 측정을 통해 서로 다른 도즈를 어떻게 구별할 수 있는지를 보여줍니다.
Fig. 1: implanted P dosis with a depth of only 2 µm
Fig. 2: measured photoconductivity of the sample with different implanted P doses
관련 솔루션 및 산업: 에피택셜 레이어 및 박막
