저항률 매핑 및 측정

전기 저항률은 반도체의 농도에 직접적으로 좌우되므로, 도핑 분포와 균일성을 모니터링하는 데 유용한 매개변수입니다. 수명과 확산 길이는 도핑 농도에 따라 달라집니다. 도핑은 페르미 준위를 이동시키기 때문에 대부분의 경우 SRH 재결합 속도를 증가시킵니다. 또한, 고농도 도핑 물질에서는 오제르 재결합이 더 잘 일어나므로, 도핑이 증가함에 따라 재결합 과정 자체가 강화됩니다.

당사의 시스템에서는 비접촉 와전류 방식을 통해 저항률을 측정합니다. 와전류는 시료 근처의 코일에 교류 전류가 흐르는 경우와 같이, 시간에 따른 자기장의 변화로 인해 시료가 변화하는 자기장에 노출될 때 발생합니다. 이로 인해 시료 내부에서 전류가 발생하고, 순환하는 와전류가 원래 자기장의 변화와 반대되는 유도 자기장을 생성합니다. 시료의 전기 전도도가 높을수록 발생하는 전류가 커지고, 이에 반하는 자기장도 커집니다. 즉, 시료의 저항률과 직접적인 관련이 있는 재료의 전기 손실을 측정하는 것입니다.

이 측정은 코일과 시료 사이의 거리, 즉 시료의 기하학적 특성에 의해서도 영향을 받는다는 점에 유의해야 합니다.

웨이퍼 및 브릭의 저항 측정

저항률은 물질의 가장 중요한 전기적 특성 중 하나입니다. 이는 태양전지와 같은 반도체 소자의 성능을 결정하는 핵심적인 매개변수이며, 물질의 도핑 농도에 따라 달라집니다. 따라서 도핑 농도의 불균일성을 감지하기 위해서는 높은 정확도와 분해능으로 저항률을 측정해야 한다.

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