SPV-Picts Mesures de la dépendance à la température du SPV

Utilisez cette option pour effectuer des mesures SPV à différentes températures comprises entre la température ambiante et 200 °C. Les mesures SPV en fonction de la température peuvent être utilisées pour déterminer les énergies d'activation ou pour étudier in situ des réactions ou des processus dépendant de la température. À titre d'exemple, on peut ainsi étudier la formation de défauts ou l'introduction de défauts à la surface ou dans le volume.

Pour les semi-conducteurs à large bande interdite, l'énergie d'apparition du signal SPV associée au bord de la bande interdite n'est généralement pas nette et bien définie. En faisant varier la température, l'énergie d'apparition peut être mesurée à différentes températures, ce qui permet une meilleure estimation des énergies au bord de la bande interdite.

Certains matériaux photocatalytiques présentent des états de défauts artificiels qui accélèrent la séparation des charges. Dans un dispositif de production à grand volume de matériaux photocatalytiques présentant des états de défauts artificiels, le plan de contrôle de l'activité de ces états de défauts est essentiel pour le rendement. En faisant varier la température sur une plage relativement étroite (par exemple 10 °C), l'activité peut être testée efficacement.

De plus, le matériau photocatalytique doit fonctionner sur une large plage de températures. Cela rend l'option SPV-Picts presque indispensable pour tout programme de recherche visant à développer des matériaux photocatalytiques efficaces.