• MDP (photoconductivité détectée par micro-ondes) : sensible aux porteurs de charge photogénérés en mouvement (propriété intrinsèque)

  • SPV (phototension de surface) : sensible aux propriétés de surface ET de volume en ce qui concerne TOUS les porteurs de charge photogénérés séparés dans l'espace (en mouvement ou piégés)

  • La méthode MDP ne s'applique qu'aux semi-conducteurs modérément dopés ou aux cristaux optiques quasi parfaits

  • La méthode SPV s'applique à tous les matériaux photoactifs permettant la séparation des charges dans l'espace (semi-conducteurs, structures multicouches et à jonctions multiples, couches moléculaires, poudres)

  • La méthode MDP peut être modélisée comme une mesure de résistance dépendante du temps (DC), tMDP

  • La méthode SPV peut être modélisée comme une mesure de capacité dépendante de la fréquence et du temps (DC/modulation), tSPV

  • Pour un semi-conducteur non idéal (présentant des défauts), il peut y avoir une différence considérable entre les deux méthodes ; celles-ci fournissent toutes deux des informations complémentaires sur les propriétés du volume et de la surface


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