• Mécanismes de génération et de séparation des porteurs de charge

  • Mesure de la durée de vie des porteurs minoritaires / Calculs de la longueur de diffusion

  • Dynamique des porteurs piégés, résolue en temps

  • Mesures de phototension de surface

La figure 1 présente un exemple d'utilisation de la SPV pour la caractérisation du processus de polissage d'une plaquette de silicium à zone flottante à haute résistivité polie des deux côtés. Les zones rouges sur les graphiques montrent clairement que le processus de polissage CMP n'est pas optimal et que des traces d'un outil de manipulation sont même clairement visibles sur les graphiques (en bas à gauche). 


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