La méthode MD-PICTS est particulièrement adaptée à l'étude des niveaux de défauts dans l'InP. Par exemple, des études sur le phosphure d'indium montrent que la teneur en défauts varie au cours des processus de recuit, ce qui peut également avoir un impact sur la distribution des propriétés électriques. Alors que la teneur en défauts des échantillons tels qu'ils ont été obtenus par croissance dépend de leur position dans le cristal, un ensemble équivalent de niveaux de défauts est prédominant dans les échantillons de plaquettes recuits. La figure 1 présente une comparaison d'échantillons d'InP dopé au fer provenant de différentes positions cristallines. Ils se distinguent par leurs niveaux de défauts caractéristiques. Les pics observés dans l'InP dopé au fer ont fourni la première preuve que le fer agit comme un centre de recombinaison dans l'InP.
Fig.1: Comparison of MD-PICTS spectra of as-grown Fe doped SI-InP samples from different crystal positions and thus different FE concentrations. The samples differ in their characteristic defect levels
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