Exemple d'application
La figure 1 présente une cartographie exemplaire de la résistivité d'une plaquette brute de SiC. La zone d'exclusion en bordure est d'environ 5 mm.
Il est bien connu que la résistivité mesurée dépend de la température de l'échantillon, mais aussi de la température ambiante. C'est pourquoi deux capteurs de température sont intégrés dans la tête de mesure. La figure 2 montre 1 000 répétitions d'une mesure de résistivité sur une boule de SiC épaisse (> 1 mm). La tête de mesure revenait à sa position d'origine après chaque mesure et la procédure complète a duré environ 6 heures. Pendant ce temps, la température ambiante a varié et ce test montre clairement l'efficacité de l'algorithme de compensation de température. Une reproductibilité de s < 0,15 % est obtenue grâce à cet algorithme de compensation de température.
Figure 1: Example of a resistivity map of a SiC wafer
Figure 2: 1000 repeats with movement to home position; with (σ < 0.15 %) and without temper-ature compensation (σ < 0.21 %)
Figure 3: average of a 5 mm map of a 6’’ boule, measured 18 times on different days and differ-ent times, σ = 0.15 %
Figure 4: dynamic temperature drift: sample was placed at a cold spot and measured during the warm up, the experiment took about 10 mins
