Materialien
Für HJT-, HIT-, TOPcon-, bifaciale PERC-, PERC+-Solarzellen und mehr.
Eigenschaften & Vorteile
Lebensdauerbereich: 20 ns bis 100 ms (für Proben > 0,3 Ohm·cm)
SEMI-Standard: PV9-1110
Messgeschwindigkeit: < 30 s für Zeilenscan
<, 5 min für vollständige Kartierung
Gleichzeitige Messung von: Lebensdauer μPCD/MDP (QSS) und spezifischem Widerstand
Automatische Geometrieerkennung: G12-, M10-Bausteine und Wafer
Anwendungen
Technische Daten
| Material | monokristallines Silizium |
|---|---|
| Ingotgröße | zwischen 125 x 125 und 210 x 210 mm², Blocklänge 850 mm oder länger |
| Wafergröße | bis zu 300 mm Durchmesser |
| Widerstandsbereich | 0,5 – 5 Ohm·cm. Andere Bereiche auf Anfrage |
| Leitfähigkeitstyp | p, n |
| Messbare Eigenschaften | Lebensdauer – μPCD/MDP (QSS), Photoleitfähigkeit, spezifischer Widerstand und mehr |
| Standard-Anregung | IR-Laserdiode (980 nm, max. 500 mW) und IR-Laserdiode (905 nm, max. 9000 mW). Andere Wellenlängen sind auf Anfrage erhältlich |
| PC-Arbeitsplatz | Windows 11 oder neuer, .NET Framework-Update, 2 Ethernet-Anschlüsse |
| Stromversorgung | 100 – 250 V AC, 6 A |
| Abmessungen (B × H × T) | 2560 × 1910 × 1440 mm |
| Gewicht | ca. 200 kg |
| Zertifizierung | Hergestellt nach ISO 9001, CE-konform |

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Technologie
Zubehör & Konfigurationsmöglichkeiten
Unsere Geräte bieten vielseitige Konfigurationsmöglichkeiten, um spezifische Anforderungen effektiv zu erfüllen. Jedes Modell kann individuell angepasst werden, um maximale Flexibilität und Effizienz zu gewährleisten.
Schwankungen der Spotgröße
Widerstandsmessung (Ziegel/Wafer)
Hintergrund-/Bias-Licht
Reflexionsmessung (MDP)
LBIC
Interne Eisenkartierung von p-dotiertem Si
P/N-Erkennung
Barcodeleser
Automatische geometrische Erkennung
Breites Spektrum an Lasern
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