Mit den Serien MDPingot und MDPmap lässt sich die Eisenkonzentration in Briketts und Wafern vollautomatisch und mit sehr hoher Auflösung messen.

Lebensdauermessungen vor und nach der Dissoziation von Eisen-Bor-Paaren sind eine weit verbreitete Methode zur Eisenbestimmung in Siliziumwafern.

In bordotiertem Silizium mit hoher Dotierungskonzentration, wie es für PV-Anwendungen verwendet wird, liegt fast 100 % des elektrisch aktiven Eisens als FeB-Paare vor. Mit Licht ausreichender Energie können diese Paare in Fei und B dissoziiert werden. Dieser Prozess ist reversibel, und nach einiger Zeit verbinden sich alle FeB-Paare wieder. FeB und Fei weisen unterschiedliche Rekombinationseigenschaften auf, sodass die Dissoziation einen Einfluss auf die gemessene Lebensdauer hat. Mit diesem Effekt lässt sich die Eisenkonzentration wie folgt bestimmen:

\([\mathrm{Fe}] = C(\Delta n) \cdot \left( \cfrac{1}{\tau_{\mathrm{Fe}_i}} - \cfrac{1}{\tau_{\mathrm{FeB}}} \right)\)

 

Für die Eisenbestimmung wird ein Kalibrierungsfaktor C verwendet, der von der Injektion, der Dotierungskonzentration und der Fallenkonzentration abhängt, was insbesondere bei multikristallinem Silizium berücksichtigt werden muss. Mit MDP ist eine Bestimmung der Eisenkonzentration für mc- und mono-Si mit hoher Auflösung und dank Simulationen und jahrelanger Forschung auch mit hoher Genauigkeit möglich.



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