MDP-Anwendungen

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Die Lebensdauer der Minoritätsträger reagiert empfindlich auf alle Arten von elektrisch aktiven Defekten in Halbleitern und eignet sich daher für eine Vielzahl von Anwendungen.

Räumliche Untersuchung von Defekten durch Glühbehandlungen

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Messungen der Lichtleitfähigkeit und Trap-Analyse

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Widerstandsmessungen an Wafern und Bricks

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Lichtstrahl-induzierter Strom (LBIC)

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Minoritätsträger-Lebensdauer-Karten auf 450-mm-Wafern

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Bestimmung der Eisenkonzentration

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Mikrowellen-induzierte photoinduzierte Stromtransienten-Spektroskopie

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Messungen der Lebensdauer von Minoritätsträgern auf SiC

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Untersuchung der Materialqualität von GaAs

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p/n-Erkennung in Ziegeln

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Nachweis von CrB in Silizium

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Nachweis von BO2 in Silizium

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Bestimmung der Fallenkonzentration

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Injektionsabhängige Messungen

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Untersuchung des Defektniveaus in InP

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Inline-Metrologie von mc-Si-Steinen

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Hochgradig ortsaufgelöste Inline-Metrologie auf multikristallinem Silizium

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Bestimmung der Homogenität der Passivierung und der Oberflächenrekombination vel

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Messungen der Lichtleitfähigkeit von implantierten Proben

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Bestimmung der Lebensdauer von epitaktischen Silizium-Dünnschichten

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