MD-PICTS ist eine gut geeignete Methode zur Untersuchung des Defektgehalts in InP. Untersuchungen an Indiumphosphid zeigen beispielsweise, dass sich der Defektgehalt während des Temperprozesses verändert, was sich auch auf die Verteilung der elektrischen Eigenschaften auswirken kann. Während der Defektgehalt von frisch gewachsenen Proben von ihrer Position im Kristall abhängt, ist bei wafer-getemperten Proben ein gleichwertiger Satz von Defektniveaus deutlich erkennbar. Abbildung 1 zeigt einen Vergleich von Fe-dotierten SI-InP-Proben aus verschiedenen Kristallpositionen. Sie unterscheiden sich in ihren charakteristischen Defektniveaus. Die beobachteten Peaks in Fe-dotiertem InP lieferten den ersten Beweis dafür, dass Eisen in InP als Rekombinationszentrum fungiert.
Fig.1: Comparison of MD-PICTS spectra of as-grown Fe doped SI-InP samples from different crystal positions and thus different FE concentrations. The samples differ in their characteristic defect levels
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