Die Messung der Lebensdauer vor und nach der Dissoziation von Chrom-Bor-Paaren ist ein weit verbreitetes Verfahren zur Chrombestimmung in Siliziumwafern.
In bordotiertem Silizium mit hoher Dotierungskonzentration, wie es für PV-Anwendungen verwendet wird, liegt fast 100 % des elektrisch aktiven Chroms als CrB-Paare vor. Mit Licht ausreichender Energie können diese Paare in Cr und B dissoziiert werden. Dieser Prozess ist reversibel, und nach einiger Zeit verbinden sich alle CrB-Paare wieder, was wesentlich länger dauert als bei FeB-Paaren. CrB und Cr weisen unterschiedliche Rekombinationseigenschaften auf, sodass die Dissoziation einen Einfluss auf die gemessene Lebensdauer hat. Mit diesem Effekt lässt sich die Chromkonzentration bestimmen über:
\([Cr] = C_{Cr}(\Delta n) \cdot (\cfrac{1}{\tau_{Cr}} - \cfrac{1}{\tau_{CrB}})\)
Für die Chrombestimmung wird ein Kalibrierungsfaktor C verwendet, der von der Injektions- und Dotierungskonzentration abhängt. Mit der MDPmap und dem beheizten Probentisch ist eine Bestimmung der Chromkonzentration für mc- und mono-Si mit hoher Auflösung möglich.
Verknüpfte Branchen und Applikationen: Epitaxieschichten und dünne Filme
