Mit dem MDPmap und dem MDPingot ist es möglich, sowohl die Photoleitfähigkeit als auch die Lebensdauer der Minoritätsträger in einem einzigen, vollautomatischen Messvorgang über einen weiten Injektionsbereich zu messen. Ein ausgeklügelter Algorithmus ermöglicht die Bestimmung der Fallendichte in der Probe.
Aus der injektionsabhängigen Lebensdauerkurve lässt sich die Lebensdauer bei geringer Injektion τLLI bestimmen, und die Photoleitfähigkeit wird mit dem leicht modifizierten Modell von HORNBECK und HAYNES angepasst. Die Fallendichte NT und die Aktivierungsenergie EA sind die Anpassungsparameter.
Erste Messergebnisse wurden an mc- und Cz-Si-Wafern erzielt, und es konnte eine Korrelation zwischen der Fallendichte und der Versetzungsdichte bestätigt werden.
\(\Delta\delta = e[\tau_{LLI}G_{opt}(\mu_{n}+\mu_{p})+\Delta n_{T}\mu_{p}]\)
MDPmap ermöglicht die hochauflösende Messung von injektionsabhängigen Photoleitfähigkeits- und Lebensdauerkurven, sodass die Fallendichte und die Aktivierungsenergie von Fallenzentren bestimmt werden können. Damit lässt sich der Ursprung von Fallen und deren Einfluss beispielsweise auf den Wirkungsgrad von Solarzellen untersuchen.
Weitere Informationen finden Sie unter:
[1] J. A. Hornbeck und J. R. Haynes, Physical Review 97, 311–321 (1955)[2] D. Macdonald und A. Cuevas, Applied Physics Letters 74, 1710–1712 (1999)
[3] N. Schüler, T. Hahn, K. Dornich, J.R. Niklas, 25. PVSEC Valencia (2010) 343–346
Photoconductivity versus Gopt for different trap densities and fit of measured photoconductivity curve
Verknüpfte Branchen und Applikationen: Forschung und Entwicklung, Epitaxieschichten und dünne Filme, Fotovoltaik
