In diesem Fall ist nicht die Lebensdauer, sondern die Photoleitfähigkeit oder die Signalhöhe der empfindlichste Parameter für die Erkennung von Inhomogenitäten bei Implantationen. Sie hängt stark vom spezifischen Widerstand und der Lebensdauer selbst ab.
In den Geräten MDPmap und MDPingot können bis zu 4 Laser mit unterschiedlichen Wellenlängen integriert werden. Darüber hinaus ist es möglich, mit unterschiedlichen Pulslängen zu messen, von einem sehr kurzen Puls von nur 100 ns, bei dem keine Ladungsträgerdiffusion stattfindet, bis zu einer Pulslänge von mehreren ms, bei der die Ladungsträger in die Probentiefe diffundieren. Durch Variieren der Laserwellenlänge und der Pulslänge ist es somit möglich, mit unterschiedlicher Eindringtiefe zu messen.
In diesem Fall wurde ein 660-nm-Laser mit einer Pulslänge von 100 ns gewählt; somit wurde eine Eindringtiefe von etwa 4 µm erreicht. Abbildung 1 zeigt die implantierten P-Dosen in der gemessenen Cz-Si-Probe, und Abbildung 2 veranschaulicht, wie die verschiedenen Dosen durch Photoleitfähigkeitsmessungen unterschieden werden können.
Fig. 1: implanted P dosis with a depth of only 2 µm
Fig. 2: measured photoconductivity of the sample with different implanted P doses
Verknüpfte Branchen und Applikationen: Epitaxieschichten und dünne Filme
