Die Bor-Sauerstoff-Komplexe lassen sich durch Bestrahlung der Probe mit Licht aktivieren und durch Erhitzen der Probe auf 200 °C für einige Minuten deaktivieren. Dies kann ähnlich wie bei der Eisenbestimmung genutzt werden, um die relative Bor-Sauerstoff-Dichte durch Lebensdauermessungen vor und nach der Aktivierung und Deaktivierung des Defektkomplexes zu bestimmen.
Die Bor-Sauerstoff-Dichte wird bestimmt über:
\([BO_{2}] = C_{BO}(\Delta n) \cdot (\cfrac{1}{\tau_{BO}} - \cfrac{1}{\tau_{FeB}})\)
Für die Bor-Sauerstoff-Bestimmung wird ein Kalibrierungsfaktor CBO verwendet, der von der Injektions- und Dotierungskonzentration abhängt. Mit dem MDPmap und dem beheizten Probentisch ist eine Bestimmung der Bor-Sauerstoff-Konzentration für mc- und mono-Si mit hoher Auflösung möglich.
Verknüpfte Branchen und Applikationen: Epitaxieschichten und dünne Filme
