Mit MDPmap und MDPingot ist es möglich, den spezifischen Widerstand von Wafern oder Blöcken mittels Wirbelstrommessungen mit hoher Genauigkeit und einer Auflösung von 1 mm zu messen. Die Wirbelstromsensor-Konfiguration weist aufgrund einer abstandsabhängigen internen Kalibrierungsmatrix eine sehr gute Langzeitstabilität auf. Daher wird bei jeder Widerstandskarte gleichzeitig eine Geometriekarte der Oberflächenebenheit gemessen. Der spezifische Widerstand kann gleichzeitig mit den Karten zur Minoritätsladungsträgerlebensdauer und zur Photoleitfähigkeit gemessen werden. Bei Wafermessungen muss die Dicke der Probe vom Anwender angegeben werden.
Stufenbreite ≥ 1 mm
Randausschluss 12 mm
Widerstandsfähigkeitsbereich der Waferdicke 150 ... 250 µm
Widerstandsbereich kann festgelegt werden
Standardeinstellung: 0,5 bis 5 Ohm cm
Genauigkeit: < 5 %
Wiederholgenauigkeit: < 1 % (Bereich von 0,5 bis 3 Ohm·cm)
Es ist möglich, den Schichtwiderstand des Emitters abzubilden, um die Homogenität der Emitterdiffusion zu untersuchen. Der spezifische Widerstand der Basis muss vom Benutzer vorgegeben werden.
Schichtwiderstandsmessung im Bereich von 0,1 bis 200 Ohm/sq
Genauigkeit bei Standardprobengröße,
0,1–10 Ohm/sq: < 3 % Genauigkeit
10–100 Ohm/sq: < 4 % Genauigkeit
100 – 200 Ohm/sq: < 5 % Genauigkeit
Die Abbildungen 1 bis 3 zeigen Beispiele für Widerstandskarten, die an mc-Si-Wafern und -Blöcken gemessen wurden.
Fig 1: Emitter sheet resistance map of a typical mc-Si wafer with emitter diffusion and an average sheet resistance of 85.1 Ohm/sq.
Fig. 2: resistivity map of a typical mc-Si wafer for PV applications and an average resistivity of 1.0 Ohm cm
Fig. 3: Resistivity map of a typical mc-Si brick for PV applications and an average resistivity of 1.4 Ohm cm
Verknüpfte Branchen und Applikationen: Epitaxieschichten und dünne Filme, Fotovoltaik
