Fortschrittliche Forschung und Entwicklung - zerstörungsfrei, flexibel und schnell
Hochsensibel durch fortschrittliches Mikrowellensystem
Maßgeschneiderte Laser- und Optikintegration für alle Ihre Materialien
Gleichzeitige Widerstandsmessung und andere Optionen
Materialien
Die MDPmap verfügt über eine vielseitige Auswahl an hochmodernen Lasern, die eine umfassende elektrische Charakterisierung für nahezu alle Arten von Halbleitern ermöglichen.
Eigenschaften & Vorteile
355-1550 nm
Verfügbare Wellenlängen
10 ns
Zeitauflösung
> 99 %
Wiederholbarkeit
Widerstandsfähigkeit
0.3-5
Ohm cm
Flexibles Mapping-Tool für F&E oder Produktionsüberwachung
MDPmap ist als kompaktes, berührungsloses Tischgerät zur elektrischen Charakterisierung für die Offline-Produktionskontrolle oder Forschung und Entwicklung konzipiert und misst Parameter wie Ladungsträgerlebensdauer, Photoleitfähigkeit, spezifischen Widerstand und Defektinformationen über einen weiten Injektionsbereich im stationären Zustand oder bei Kurzpulsanregung (μ-PCD). Die automatische Probenerkennung und Parametereinstellung ermöglicht eine einfache Anpassung an eine große Vielfalt unterschiedlicher Proben, darunter Epitaxieschichten und Wafer nach verschiedenen Präparationsstufen, die von frisch gewachsenen Wafern bis hin zu zu 95 % metallisierten Wafern reichen.
Der größte Vorteil von MDPmap ist seine hohe Flexibilität, die beispielsweise die Integration von bis zu vier Lasern ermöglicht, entweder für injektionspegelabhängige Lebensdauermessungen im Bereich von extrem niedriger bis hoher Injektion oder zur Gewinnung von Tiefeninformationen unter Verwendung unterschiedlicher Laserwellenlängen. Eine Bias-Light-Funktion ist ebenso enthalten wie Optionen für μ-PCD- oder stationäre Injektionsbedingungen. Eine kundendefinierte Berechnung mit verschiedenen Karten ist ebenso möglich wie ein Export der Rohdaten zur weiteren Auswertung. Für Standardmessaufgaben ermöglicht ein vordefinierter Standard Routinemessungen per Knopfdruck.
Lifetime map of passivated multicrystalline silicon
Iron contamination map of multicrystalline silicon
Bor oxygen map of mono silicon
Trap density map of mono silicon
Anwendungen
Technische Daten
| Probengröße | bis zu 300 mm Durchmesser (Standard), bis zu 450 mm Durchmesser (auf Anfrage), bis hinunter zu 5 x 5 mm |
|---|---|
| Lebensdauerbereich | 20 ns bis mehrere ms |
| spezifischer Widerstand | 0,2 – >10³ Ohm·cm, p/n |
| Material | Siliziumwafer, Epitaxieschichten, teilweise oder vollständig bearbeitete Wafer, Verbindungshalbleiter und mehr |
| Messbare Eigenschaften | Lebensdauer – μ-PCD/MDP (QSS), Photoleitfähigkeit |
| Anregung | Wählen Sie bis zu vier verschiedene Wellenlängen von 355 nm bis 1480 nm. 980 nm (Standard) |
| Abmessungen | 680 x 380 x 450 mm, Gewicht: ca. 65 kg |
| Stromversorgung | 100–250 V, 50/60 Hz, 5 A |
