Ermöglicht die Ursachenanalyse von Materialfehlern: zerstörungsfrei, flexibel und präzise
Hohe räumliche Auflösung
Maßgeschneiderte Laser- und Optikintegration für alle Ihre Materialien
Neuartiger Kryostat für Proben bis zu 4''
Materialien
Mit dem MDpicts pro lassen sich nahezu alle Halbleiter elektrisch charakterisieren
Si SiC Ge GaAs Ga₂O₃ InP Diamond and more
Eigenschaften & Vorteile
355-4600 nm
Verfügbare Wellenlängen
10 ns
Zeitauflösung
83-300 K
Temperaturbereich
10 µm
Räumliche Auflösung
Anwendungen
Technische Daten
| Temperaturbereich | 83 – 350 K |
|---|---|
| Probengröße | bis zu 4"-Wafer kleine Waferstücke |
| spezifischer Widerstand | 0,2 – >1010 Ωcm |
| Leitungsart | p, n |
| Lebensdauer der Minoritätsträger | 20 ns – 100 ms |
| Messbare Eigenschaften | Lebensdauer, Photoleitfähigkeit, Aktivierungsenergie usw. |
| Anregung | 355 – 4600 nm |
