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Ermöglicht eine schnelle und einfache Bewertung der Lebensdauer an einem einzigen Punkt

  • Ein-Punkt-Messung

  • Wafer und Barren

  • Flexibles, kostengünstiges Werkzeug

Materialien

Entdecken Sie mit MDPspot eine beispiellose Einfachheit und Schnelligkeit bei der lebenslangen Charakterisierung nahezu aller Halbleiter – entwickelt, um Ihren Arbeitsablauf zu optimieren, ohne dabei Abstriche bei der Genauigkeit zu machen.

Si SiC Ge GaN GaAs InP and more

Eigenschaften & Vorteile

355-1550 nm

Verfügbare Wellenlängen

10 ns

Zeitauflösung

> 99 %

Wiederholbarkeit

Flexibel
Messung

Für Wafer und Ingots

Flexibel
Messung

Für Wafer und Ingots

  • berührungslose, zerstörungsfreie elektrische Halbleitercharakterisierung

  • inklusive μ-PCD-Messoption

  • hohe Empfindlichkeit zur Visualisierung bisher unsichtbarer Defekte und zur Untersuchung von Epitaxieschichten

  • Integration von bis zu vier Lasern für einen breiten Bereich von Injektionsniveaus

  • Zugriff auf Primärdaten einzelner Transienten sowie auf Karten für spezielle Auswertungszwecke

  • ermöglicht die Untersuchung einzelner Wafer

  • verschiedene Rezepturen für unterschiedliche Waferklassen

  • Überwachung von Material, Prozessqualität und Stabilität


Einzelpunktmessungen auf dem Labortisch

Der MDPspot ist eine kostengünstige und kompakte Lösung zur Lebensdauerbestimmung verschiedener Halbleiter in unterschiedlichen Präparationsstadien. Da er ohne integrierte Automatisierung konzipiert ist, bietet er Flexibilität für vielfältige Anwendungen.

  • Kostengünstiges Design: Eine budgetfreundliche Option für zuverlässige Lebensdauermessungen.

  • Vielseitige Kompatibilität: Geeignet für eine Vielzahl von Halbleiterproben, von dünnen Wafern bis hin zu dickeren Materialien mit einer Dicke von bis zu 156 mm.

  • Optionale Z-Achsen-Verstellung: Eine manuell bedienbare Z-Achse ist für die präzise Handhabung dickerer Proben verfügbar.

  • Intuitive Software: Im Lieferumfang enthaltene Standardsoftware für eine übersichtliche Visualisierung und Analyse der Ergebnisse.

Optimieren Sie Ihre Messprozesse mit diesem effizienten und benutzerfreundlichen System.

 

Interesse? Unsere Experten unterstützen Sie gern.

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Technische Daten

 Mono- oder Multikristall-Siliziumwafer, Bricks, Zellen, Wafer nach verschiedenen Verarbeitungsschritten wie Passivierung oder Diffusion
Probengrößeüber 50 x 50 mm² bis zu 12“ oder 210 x 210 mm²
spezifischer Widerstand0,2 – 10³ Ohm cm
MaterialSiliziumwafer, Bricks, teilweise oder vollständig bearbeitete Wafer, Verbindungshalbleiter und mehr
Messbare EigenschaftenTrägerlebensdauer
Abmessungen360 x 360 x 520 mm, Gewicht: 16 kg
Stromversorgung110/220 V, 50/60 Hz, 3 A

 

Zubehör & Konfigurationsmöglichkeiten

Unsere Geräte bieten vielseitige Konfigurationsmöglichkeiten, um spezifische Anforderungen effektiv zu erfüllen. Jedes Modell lässt sich individuell anpassen, um maximale Flexibilität und Effizienz zu gewährleisten.

Kontaktieren Sie uns für weitere Informationen

  • Schwankungen der Spotgröße

  • Widerstandsmessung (Wafer)

  • Hintergrund-/Bias-Licht

  • Reflexionsmessung (MDP)

  • Softwareerweiterung

  • Zusätzliche Laser

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Zögern Sie nicht, uns zu kontaktieren – wir stehen Ihnen bei allen Fragen und Anliegen gerne zur Verfügung.

Nutzen Sie unser Anfrageformular oder schreiben Sie uns eine E-Mail:
sales@freiberginstruments.com