実環境下では、モジュール内の前面ガラス表面と太陽電池の間に大きな電位差が生じ、シリコン太陽電池のp-n接合のシャント現象を引き起こし、その結果、抵抗の低下や出力の低下を招く可能性がある。
以下のモデルは [1] によって提案されたものである。
モジュール内に存在する高い電界強度により、SiNx 層を介して Na+ のドリフトが生じる。Na イオンは SiNx/Si 界面 (SiOx) で横方向に拡散し、積層欠陥を装飾する。 pn接合は、欠陥が密集した積層欠陥の欠陥準位を介したホッピング過程によってバイパスされ（過程1）、さらに、空乏層内の欠陥状態を介した再結合過程によりJ02が増加する（過程2）。なお、NaイオンはガラスではなくSi表面に由来すると想定される。
したがって、モジュールの感受性は主にSiNx層、およびガラスとEVAフォイルの抵抗率に依存する。
詳細については、以下を参照してください：
[1] V. Naumann et al., The role of stacking faults for the formation of shunts during potential induced degradation (PID) of crystalline Si solar cells, Phys. Stat. Solidi RRL 7, No. 5 (2013) 315-318
