シリコンへのレーザー波長別の浸透深さ

シリコンへのレーザー波長別の浸透深さ

マイクロ波検出型光伝導度は、試料に光を照射した後の光伝導度を測定するものです。通常、電子と正孔を生成させるためには、光のエネルギーがバンドギャップよりも高い必要があります。シリコンの場合、これは波長が1100 nm未満の光を使用すべきであることを意味します。 表面や薄いエピタキシャル層を調査する場合は、シリコンへの浸透深度がはるかに浅い紫外線（UV）や青色光を使用すると有用な場合があります。図1は、シリコンにおける浸透深度と波長の関係を示しており、用途に応じてどの波長が最も有用かについて、ユーザーにヒントを与えています。