MD-PICTS - マイクロ波検出光誘導電流過渡分光法
MD-PICTSはMDPを改良したもので、過渡応答の欠陥部分について温度依存性の測定を行うことができます。これにより、空間分解能の高い欠陥特性評価が可能となります。 DLTS（深レベル過渡分光法）と同様に、欠陥の活性化エネルギーや捕捉断面積を測定することができます。しかし、DLTSとは異なり、接点を必要としません。これは、欠陥の同定や材料品質の向上において極めて有用です。
Fig. 1: example of a MD-PICTS spectrum of different tempered Cz—Si wafers
この手法についてさらに詳しく知りたい場合は、以下の文献を参照してください：
B. Grundig-Wendrock, M. Jurisch, and J. R. Niklas, Materials Science and Engineering B-Solid State Materials for Advanced Technology 91, 371-375 (2002)
S. Hahn, F. Beyer, A. Gällström, P. Carlsson, A. Henry, B. Magnusson, J. R. Niklas, and E. Janzen, 『Materials Science Forum』 600-603, 405-408 (2009)
K. Dornich、K. Niemietz、Mt. Wagner、J.R. Niklas、『半導体プロセスにおける材料科学』、Elsevier、241-245
Bastian Berger、Nadine Schüler、Sabrina Anger、Bianca Gründig-Wendrock、Jürgen R. Niklas、Kay Dornich、「マイクロ波検出光誘起電流過渡分光法（MD-PICTS）およびマイクロ波検出光伝導度（MDP）による半導体の非接触電気的欠陥特性評価」
