光伝導性
十分なエネルギーの光が半導体に吸収されると、自由電子と正孔の数が変化し、半導体の電気伝導度が上昇する。この上昇は光伝導度と呼ばれ、過剰な電子および正孔の濃度とそれらの移動度によって、以下の式で表される。
[1] \(\Delta\sigma = e \cdot(\mu_{n}\Delta n + \mu_{p} \Delta p)\)
[2] \(\Delta\sigma = e \cdot G\)opt\(\cdot \tau \cdot(\mu_{n} + \mu_{p})\)
Goptは光生成率であり、入射光強度、試料上の光スポット、および波長に依存する。
[3] \(G\)opt\(= \alpha \cdot \phi \cdot(1 - R)e^{\alpha x}\)
式2より、光伝導度は寿命tと移動度µの積に比例することが示される。したがって、これは拡散長Lの二乗にも比例し、Lは次のように定義される：
[4] \(L = \sqrt{D \cdot \tau} = \sqrt{\frac{e}{kT} \cdot \mu{\tau}}\)
