モビリティ
移動度は、外部電界が印加された材料中における電子や正孔のドリフト速度に関連する量である。移動度は、格子との衝突や結晶欠陥・不純物での散乱など、自由キャリアを減速させるさまざまな散乱過程に依存する。
\(\cfrac{1}{\mu} = \cfrac{1}{\mu_{lattice}} + \cfrac{1}{\mu_{impurities}}\)
したがって、移動度は注入レベルだけでなく、ドーピング濃度や欠陥密度にも依存する。我々のシミュレーションおよび測定では、通常、DORKELとLETURQUE [1] のモデルを採用している。
[1] J. M. Dorkel and P. Leturcq, Solid-State Electronics 24, 821-825 (1981)
Fig. 1: mobility for electrons and holes versus injection for different doping concentrations
