他の手法とは対照的に、MD-PICTS（マイクロ波検出型光誘起電流過渡分光法）は、SI GaAs試料の薄い表面領域（3 µm）からの信号さえも検出できるため、例えば表面処理の影響などを分析することが可能です。 図1は、受容体濃度が異なる試料における、よく知られたEL2欠陥のピークを示しています。
Fig. 1: Detection of the EL2 defect in SI GaAs samples with different acceptor concentrations by MD-PICTS, peak height and sign correlate to the acceptor concentration
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