당사는 현재 고체 물리학을 기반으로 특정 광활성 물질 또는 물질 조합의 전자 구조에 대한 제1원리 계산을 가능하게 하는 시뮬레이션 도구를 개발하고 있습니다.
SPS/SPV 시뮬레이션 도구를 사용하면 모든 SPS/SPV 장비 사용자가 시뮬레이션된 시나리오와 자신의 측정 결과를 비교 검증할 수 있습니다. 이를 통해 예를 들어 신소재 연구의 개발 시간을 단축하거나 특정 광활성 물질 구성의 허용 오차를 테스트할 수 있습니다.
모든 과도 응답은 tI, βi, Ai라는 세 가지 기본 매개변수를 사용하는 내장된 신장 지수 다중 매개변수 피팅 기능을 통해 10ns에서 100ms 사이로 피팅할 수 있습니다. 여기서 t는 과도 시간 상수, β는 지수 함수의 신장 계수, A는 신호 진폭입니다. 대부분의 경우 다중 매개변수 i는 2개(즉, i = 1, 2)로 제한될 수 있으며, 5개는 드물지만 복잡한 구조의 경우 때때로 필요합니다. 원칙적으로 i = 1,…,12를 사용한 피팅이 가능합니다.
그림 1은 플로트 존 실리콘 웨이퍼의 전도대 근처에 위치한 얕은 결함의 반경 방향 특성을 분석하기 위해, 5개의 신장 지수 함수의 합으로 구성된 적합 함수를 사용하여 SPV를 적용한 예시를 보여줍니다.
