Abbildung 1 zeigt ein Beispiel für die Verwendung von SPV zur Charakterisierung des Polierprozesses an einem beidseitig polierten Float-Zone-Siliziumwafer mit hohem spezifischen Widerstand. Die roten Bereiche in den Diagrammen zeigen deutlich, dass der CMP-Polierprozess nicht optimal ist, und sogar Spuren eines Handhabungswerkzeugs sind in den Diagrammen deutlich zu erkennen (unten links).
Fig. 1: Using SPV for the characterization of the polishing process
