Anwendungsbeispiel
Abbildung 1 zeigt eine beispielhafte Kartierung des spezifischen Widerstands eines SiC-Rohwafers. Der Randausschluss beträgt ca. 5 mm.
Es ist bekannt, dass der gemessene spezifische Widerstand von der Probentemperatur, aber auch von der Umgebungstemperatur abhängt. Daher sind zwei T-Sensoren in den Messkopf integriert. Abbildung 2 zeigt 1000 Wiederholungen einer Widerstandsmessung an einem dicken SiC-Wafer (> 1 mm). Der Messkopf fuhr nach jeder Messung in die Ausgangsposition zurück, und der gesamte Vorgang dauerte etwa 6 Stunden. In dieser Zeit änderte sich die Umgebungstemperatur, und dieser Test zeigt sehr gut, wie gut der Temperaturkompensationsalgorithmus funktioniert. Mit diesem Temperaturkompensationsalgorithmus wird eine Reproduzierbarkeit von s < 0,15 % erreicht.
Figure 1: Example of a resistivity map of a SiC wafer
Figure 2: 1000 repeats with movement to home position; with (σ < 0.15 %) and without temper-ature compensation (σ < 0.21 %)
Figure 3: average of a 5 mm map of a 6’’ boule, measured 18 times on different days and differ-ent times, σ = 0.15 %
Figure 4: dynamic temperature drift: sample was placed at a cold spot and measured during the warm up, the experiment took about 10 mins
